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Infineon Bleifreie Leistungs-MOSFETs

| Redakteur: Bernd Otterbach

Als weltweit erstes Halbleiterunternehmen bringt Infineon Technologies 100 Prozent bleifreie und für die Automobilelektronik qualifizierte MOSFETs in TO-Gehäusen auf den Markt.

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Die neuen OptiMO T2-Leistungs-MOSFETs gehörten zu den besten in der 40-V-Spannungsklasse, denn sie nutzen Infineons Dünnwafer-Prozess und moderne Gehäuse-Technologie, teilte der Halbleiterspezialist am Montag mit. Das Unternehmen setzt das Diffusionslöten ein, um den Siliziumchip mit seinem Gehäuse zu verbinden („Die-Attach“). Ergebnis ist ein bleifreies Gehäuse. Das Verfahren stelle ganz besondere Anforderungen an die Gehäusegeometrie, die Dicke der Anschluss-Pads und die Chipgröße, so Infineon weiter. Deshalb sei das Diffusionslöten heute nur für drei Gehäusetypen möglich: TO-220, TO-262 und TO-263. Infineon hat bereits OptiMOS T2-Produkte in diesen Gehäusen zur Produktionsreife gebracht.

Mit den neuen MOSFETs übertrifft Infineon die geltenden RoHS (Restriction on Hazardous Substances)-Vorgaben zur Verbindung von Siliziumchip und Gehäuse mit bleifreiem Lot. Strengere RoHS-Richtlinien des ELV (End of Life Vehicles)-Gremiums könnten jedoch bereits nach 2014 gänzlich bleifreie Gehäuse verlangen. Mit den bleifreien MOSFETskönnen Systemhersteller für die Automobilelektronik diese strengeren Anforderungen erfüllen.

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