Halbleiter Renesas und Wolfspeed schließen Liefervertrag über SiC-Wafer

Von Thomas Günnel Lesedauer: 1 min |

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Renesas und Wolfspeed haben einen zehnjährigen Liefervertrag für SiC-Wafer unterzeichnet. Mit einer Anzahlung von zwei Milliarden Euro hat sich Renesas die Belieferung ab dem Jahr 2025 gesichert.

Nach dem Unterzeichnen des Liefervertrages (v.l.): Hidetoshi Shibata, CEO von Renesas, und Gregg Lowe, CEO von Wolfspeed.
Nach dem Unterzeichnen des Liefervertrages (v.l.): Hidetoshi Shibata, CEO von Renesas, und Gregg Lowe, CEO von Wolfspeed.
(Bild: Renesas)

Renesas Electronics und Wolfspeed haben eine zehnjährige Liefervereinbarung über reine und epitaktische Siliziumkarbid-Wafer vereinbart. Laut der Vereinbarung wird Wolfspeed Renesas ab dem Geschäftsjahr 2025 mit 150-mm-Siliziumkarbid-Nackt- und Epitaxiewafern beliefern. Außerdem mit 200-mm-Siliziumkarbid-Nackt- und Epitaxiewafern – sobald das kürzlich angekündigte „John Palmour Manufacturing Center für Siliziumkarbid“ betriebsbereit ist.

Die Anlage wird laut Wolfspeed hauptsächlich 200-mm-Siliziumkarbid-Wafer produzieren. Diese sind 1,7-mal größer als 150-mm-Wafer – das bedeutet mehr Chips pro Wafer und niedrigere Gerätekosten, teilte Wolfspeed mit. Mit dem Werk in Chatham County, North Carolina, will Wolfspeed die derzeitige Siliziumkarbid-Produktionskapazität auf dem Campus in Durham, North Carolina, um mehr als das Zehnfache steigern.

Die erste Bauphase des Werks soll im Jahr 2024 abgeschlossen werden und rund 1,3 Milliarden US-Dollar kosten. Zwischen 2024 und dem Ende des Jahrzehnts will das Unternehmen „bei Bedarf zusätzliche Kapazitäten hinzufügen“. Das Werk soll außerdem die „Mohawk Valley Fab“ von Wolfspeed beliefern, die Anfang des Jahres „als weltweit erste, größte und einzige vollautomatische 200-mm-Siliziumkarbid-Fertigungsanlage eröffnet wurde“, teilte das Unternehmen mit.

Renesas baut seine Fertigungskapazitäten ebenfalls aus. Das Unternehmen gab kürzlich die Wiederinbetriebnahme seiner Kofu-Fabrik in Japan bekannt. Ab 2024 sollen dort 300-mm-Wafer entstehen. Außerdem soll in der Fabrik im japanischen Takasaki eine Siliziumkarbid-Produktionslinie entstehen.

Siliziumkarbid statt Silizium

Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Leistungshalbleitern ermöglichen Siliziumkarbid-Bauelemente eine höhere Energieeffizienz, eine höhere Leistungsdichte und niedrigere Systemkosten, teilt Renesas mit. Siliziumkarbid werde häufiger in Großserienanwendungen eingesetzt, darunter Elektrofahrzeuge, bei erneuerbaren Energien oder industrieller Stromversorgung.

Siliziumkarbid-Fabrik in Deutschland

In Deutschland hat Wolfspeed ebenfalls Fabrik-Pläne: Im Februar verkündete das Unternehmen den Bau einer 200-mm-Siliziumkarbid-Fabrik im saarländischen Ensdorf. ZF Friedrichshafen kündigte gleichzeitig eine Partnerschaft mit Wolfspeed an – unter anderem in Form eines gemeinsamen Forschungs- und Entwicklungszentrums für Themen zur Elektromobilität. Laut Medienberichten sollen dort rund 1.000 Menschen arbeiten.

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