Elektronik ST Microelectronics produziert 200-Millimeter-SiC-Wafer

Redakteur: Lena Sattler

Der Halbleiterspezialist hat die ersten 200-Millimeter-Siziliumkarbid-Wafer (SiC) hergestellt. Mit der Umstellung von 150-Millimeter-SiC-Wafern auf die neuen Substrate kann das Unternehmen fast doppelt so viele Chips als bisher produzieren.

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Mit den 200-Millimeter-großen SiC-Wafern will ST Microelectronics seine Chip-Fertigung erhöhen.
Mit den 200-Millimeter-großen SiC-Wafern will ST Microelectronics seine Chip-Fertigung erhöhen.
(Bild: ST Microelectronics)

ST Microelectronics stellt nach eigenen Angaben die ersten 200 Millimeter großen Siliziumkarbid-Wafer her. Wie das Unternehmen mitteilt, produziert es die ersten SiC-Wafer am Dienstag (27. Juli) im Werk Norrköping in Schweden. Die neuen 200-Millimeter-Wafer sorgen dafür, dass – im Vergleich zu 150-Millimeter-Wafern – die 1,8- bis 1,9-fache Menge an Chips produziert werden kann. Mit seinen Technologiepartnern entwickelt ST eigene Anlagen und Prozesse für die Massenproduktion der Substrate.

Im Moment stellt ST Microelectronics auf zwei 150-Millimeter-Waferlinien in den Werken Catania in Italien und Ang Mo Kio in Singapur seine SiC-Produkte her, die der Halbleiterhersteller in China und Marokko wiederum in sogenannten Back-end-Werken zusammenbaut. Bis zum Jahr 2024 will das Unternehmen mehr als 40 Prozent seiner SiC-Substrate aus internen Quellen beziehen. Dazu plant es eine neue Fertigungsstätte.

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