Leistungselektronik Rohm und TSMC kooperieren bei Galliumnitrid-Technik

Von Lina Demmel 1 min Lesedauer

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Rohm und TSMC arbeiten gemeinsam an Galliumnitrid-Leistungsbauelementen für Elektrofahrzeuge. Die Entwicklungskompetenz des Zulieferers soll mit der GaN-auf-Silizium-Technik kombiniert werden.

Fertigungsstandort für Siliziumkarbid-Halbleiter des Zulieferers Rohm.(Bild:  Rohm)
Fertigungsstandort für Siliziumkarbid-Halbleiter des Zulieferers Rohm.
(Bild: Rohm)

Rohm und TSMC wollen gemeinsam an der Serienproduktion von Galliumnitrid-Leistungsbauelemente für Elektrofahrzeugen arbeiten. Beide Unternehmen haben im Rahmen dessen eine Partnerschaft geschlossen, teilt der japanische Zulieferer mit.

Ziel sei es, Rohms Entwicklungswerkzeuge für Bauelemente mit der GaN-auf-Silizium-Prozesstechnik von TSMC zu kombinieren. Damit soll die wachsende Nachfrage nach Hochspannungs- und Hochfrequenzeigenschaften für siliziumbasierte Leistungsbauelemente erfüllt werden.

Einsatz in On-Board-Chargern

Galliumnitrid-Leistungsbauelemente (GaN) kommen derzeit in Industrieanwendungen wie Netzteilen und Serverstromversorgungen eingesetzt. TSMC unterstützt die GaN-Technik aufgrund ihrer potenziellen Umweltvorteile in Automobilanwendungen wie On-Board-Ladegeräten und Wechselrichtern für Elektrofahrzeuge.

Beide Unternehmen arbeiteten bereits zuvor zusammen: Im Jahr 2023 führte der japanische Halbleiterhersteller die 650-V-GaN-HEMT-Technik von TSMC ein. Diese kommt als Teil von Rohms EcoGaN-Serie in Bauelementen für Verbraucher- und Industrieanwendungen zum Einsatz. Dazu gehört der 45-W-Wechselstromadapter „C4 Duo“ von Innergie, einer Marke von Delta Electronics.

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