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VDW Verein Deutscher Werkzeugmaschinenfabriken e.V.

22.07.2021

ROHM erzielt mit hoher Gate-Durchbruchspannung von 8 V technologischen Durchbruch bei 150 V GaN HEMTs

Problemlösung der Gate-Durchbruchspannung von GaN-Bauelementen senkt Stromverbrauch und ermöglicht weitere Miniaturisierung von Stromversorgungen für Basisstationen und Rechenzentren




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