Elektronik Mazda und Rohm arbeiten an GaN-Leistungshalbleitern

Von Sven Prawitz 1 min Lesedauer

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Weniger Energieverluste, kleinere Bauteile, höhere Effizienz: Mit ihrer Kooperation bei GaN-Leistungshalbleitern entwickeln Mazda und Rohm Komponenten für künftige E-Autos.

Mazda prüft den Einsatz von GaN-Leistungshalbleitern.(Bild:  Mazda)
Mazda prüft den Einsatz von GaN-Leistungshalbleitern.
(Bild: Mazda)

Mazda und Rohm entwickeln gemeinsam Galliumnitrid-Leistungshalbleiter (GaN) für Elektrofahrzeuge. Die beiden Unternehmen möchten dieses Jahr ein Demonstrationsmodell erstellen; implementiert werden sollen die Komponenten bis zum Jahr 2027. Das Ziel seien leichte, kompakte und effiziente Bauteile für E-Autos. GaN-Halbleiter reduzieren die Energieverluste bei der Umwandlung und ermöglichen durch ihren Hochfrequenzbetrieb deutlich kleinere Bauteile als herkömmliche Silizium-Halbleiter.

Die aktuelle Zusammenarbeit baut auf einer bestehenden Partnerschaft auf. Seit 2022 entwickeln die Unternehmen gemeinsam Wechselrichter mit Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern. Durch die Zusammenarbeit mit Mazda will der Zulieferer die Anforderungen an GaN aus der Perspektive der Endprodukte besser verstehen.

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