Halbleiter Mitsubishi Electric baut neue SiC-Wafer-Fabrik

Von Sven Prawitz 1 min Lesedauer

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Wegen der hohen Nachfrage nach Leistungshalbleitern erweitert der Zulieferer seinen Investitionsplan. Unter anderem soll eine neue Fabrik für 200-mm-Wafer aus Siliziumkarbid entstehen.

Eine neue Fab für 200-mm-SiC-Wafer ist Teil des gerade verdoppelten Investitionsplans von Mitsubishi Electric.(Bild:  Mitsubishi Electric)
Eine neue Fab für 200-mm-SiC-Wafer ist Teil des gerade verdoppelten Investitionsplans von Mitsubishi Electric.
(Bild: Mitsubishi Electric)

Wie Mitsubishi Electric auf der PCIM in Nürnberg bekanntgab, verdoppelt der Zulieferer seinen bereits laufenden Investitionsplan im Fünfjahreszeitraum bis März 2026 auf rund 260 Milliarden Yen (knapp 1,8 Milliarden Euro). Die zusätzlichen Mittel sollen hauptsächlich in den Bau einer neuen Wafer-Fabrik für Siliziumkarbid (SiC) fließen. Damit will das Unternehmen auf die rasch steigende Nachfrage nach SiC-Leistungshalbleiter für Elektrofahrzeuge reagieren.

Energieeffizienter Reinraum

Etwa 100 Milliarden Yen, werde Mitsubishi Electric laut eigenen Angaben für den Bau einer neuen 200-mm-SiC-Wafer-Fabrik und die Verbesserung der damit verbundenen Produktionsanlagen verwenden. Im neuen Werk, das eine bestehende Anlage in der Region Shisui in der Präfektur Kumamoto einbeziehen wird, soll ein Reinraum mit einem hohen Automatisierungsgrad entstehen.

Darüber hinaus werde das Unternehmen seine bestehenden Produktionsanlagen für 150-mm-SiC-Wafer ausbauen, um die wachsende Nachfrage auch in diesem Bereich abzudecken, sowie rund zehn Milliarden Yen in eine neue Fabrik investieren, die die bestehenden, derzeit über den Raum Fukuoka verteilten Betriebe für die Montage und Prüfung von Leistungshalbleitern zusammenführen soll. Die verbleibenden 20 Milliarden Yen, allesamt neue Investitionen, seien unter anderem für die Verbesserung der Ausrüstung und Umweltmaßnahmen vorgesehen. (cg)

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