Texas Instruments und Delta Ladetechnik und GaN-Leistungselektronik

Von Sven Prawitz 1 min Lesedauer

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Texas Instruments und Delta Electronics haben in Taiwan gemeinsam ein Labor eröffnet. Dort sollen integrierte Ladegeräte und Leistungselektroniken für E-Autos entwickelt werden.

Handschlag für die künftige Zusammenarbeit: (links) James Tang, Delta Electronics, und Amichai Ron von Texas Instruments.(Bild:  Texas Instruments)
Handschlag für die künftige Zusammenarbeit: (links) James Tang, Delta Electronics, und Amichai Ron von Texas Instruments.
(Bild: Texas Instruments)

Delta Electronics und Texas Instruments (TI) wollen gemeinsam integrierte Ladegeräte und Stromversorgungen für elektrische Fahrzeuge entwickeln. Dafür haben beide Zulieferer ein gemeinsames Innovationslabor im taiwanesischen Pingzhen eröffnet. Im Fokus des Labors stehen laut Mitteilung Kompetenzen in den Bereichen Power Management und Power Delivery.

TI und Delta wollen die Leistungsdichte, die Leistungsfähigkeit und den Platzbedarf der Technik verbessern, heißt es weiter. Die Komponenten sollen zudem günstiger werden, als heute verfügbare Technik.

Vom OBC bis zur GaN-Leistungselektronik

Um diese Ziele zu erreichen, planen Texas Instruments und Delta Electronics drei Phasen. Zunächst soll Delta ein leichtes und kosteneffektives On-Board-Ladegerät mit elf kW Leistung entwickeln. Dabei kommen die neuen Echtzeit-Mikrocontroller (MCUs) der C2000-Serie sowie die proprietären aktiven EMI-Filter-Produkte von TI zum Einsatz. Beide Unternehmen arbeiten gemeinsam daran, die Abmessungen des Ladegeräts um 30 Prozent zu minimieren und gleichzeitig einen Umwandlungs-Wirkungsgrad von bis zu 95 Prozent zu erzielen.

In der nächsten Phase wollen beide Unternehmen die C2000-MCUs für Automotive-Anwendungen der Sicherheitsstufe ASIL D zertifizieren lassen. Hochintegrierte isolierte Gate-Treiber sollen zudem die Leistungsdichte der Bordladegeräte anheben und gleichzeitig die Abmessungen insgesamt minimieren.

Abschließend wolle man neue Automotive-Leistungselektroniken entwickeln und dabei Galliumnitrid (GaN) einsetzen.

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