Elektronik SiC-Halbleiter Rohm und Leadrive gründen Forschungslabor

Redakteur: Lena Straßberger

Der Halbleiterhersteller Rohm und der chinesische Automobilzulieferer Leadrive wollen künftig gemeinsam auf dem gebiet Siliziumkarbid-Halbleiter forschen. In China wird dafür ein Labor eröffnet.

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SiC-Leistungsbauelemente werden zunehmend in On-Board-Ladegeräten und DC/DC-Wandlern für Kraftfahrzeuge eingesetzt.
SiC-Leistungsbauelemente werden zunehmend in On-Board-Ladegeräten und DC/DC-Wandlern für Kraftfahrzeuge eingesetzt.
(Bild: Rohm)

Rohm und Leadrive Technology eröffnen ein gemeinsames Forschungslabor für SiC-Halbleiter (Siliziumkarbid, kurz CiC) in der Schanghaier Freihandelszone. Das gemeinsame Labor soll sich auf Fahrzeugleistungsmodule- und Umrichter konzentrieren – unter Einsatz von Rohms SiC-MOSFET-Chips und isolierten Gate-Treibern, heißt es von den Unternehmen. SiC-Leistungsbauelemente sorgen für deutlich geringere Schalt- und Leitungsverluste sowie eine höhere Temperaturfestigkeit.

Über Leadrive

Leadrive wurde im Jahr 2017 gegründet. Das Unternehmen liefert Leistungsmodule und Antriebsprodukte für Fahrzeuge mit elektrischem Antrieb. Nach eigenen Angaben arbeitet der Zulieferer seit zehn Jahren mit SiC-Bare-Chips und verfügt über 100 internationale Patente.

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