Elektromobilität Toshiba eröffnet SiC- und GaN-Labor in Deutschland

Von Sven Prawitz

Der Elektronik-Zulieferer erweitert seinen Standort in Düsseldorf. Entwickler können dort nun Schaltungen mit Hochvoltkomponenten wie SiC- oder GaN-Halbleiter testen lassen.

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SiC-MOSFET von Toshiba: Das neu eröffnete High Voltage Lablor von Toshiba soll Kunden beim Einsatz von Siliziumkarbid- und Galliumnitrid-Technologien, insbesondere in Anwendungen für Automotive und Industrie, unterstützen.
SiC-MOSFET von Toshiba: Das neu eröffnete High Voltage Lablor von Toshiba soll Kunden beim Einsatz von Siliziumkarbid- und Galliumnitrid-Technologien, insbesondere in Anwendungen für Automotive und Industrie, unterstützen.
(Bild: Toshiba Electronics Europe)

Toshiba Electronics Europe hat in Düsseldorf ein neues Hochvolt eingerichtet. Ein besonderes Augenmerk liegt laut dem Zulieferer auf den Wide-Bandgap-Halbleitern wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). Kunden sollen vor Ort Dienstleistungen wie Simulationen wichtiger Leistungselektronikdesigns oder Entwurf von Referenzmodellen für Stromversorgungen (PFC; Leistungsfaktorkorrektur), Wechselrichter und Ladesysteme für Elektrofahrzeuge erhalten.

Das Leistungselektroniklabor entspricht den deutschen Vorschriften wie VDE0100. An dem Standort können Tests und Messungen bis 1.500 VDC und 1.000 VAC durchgeführt werden, teilt Toshiba mit. Ferner soll das neue Labor dazu dienen, das bei Toshiba bereits etablierte Entwicklungs-Know-how für ASSPs (englisch application specific standard products) und MCUs (Mikrocontroller) zu erweitern. Es soll ab sofort zusätzlich SiC- und GaN-Bauelemente, digitale Isolatoren, Gate-Treiber, Optokoppler sowie Relais umfassen und sich gleichzeitig auf wichtige Anwendungen in den Bereichen Automotive und Industrie konzentrieren.

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