Elektronik Infineon erwirbt den Siliziumkarbid-Spezialisten Siltectra

Das Dresdner Start-up Siltectra hat ein Verfahren zur materialsparenden Produktion von Siliziumkarbid-Wafern entwickelt. Der Halbleiterspezialist Infineon hat Siltectra nun für 124 Millionen Euro erworben.

Firmen zum Thema

Infineon Technologies AG

Siltectra GmbH

Hirschmann Automotive GmbH

AIMTEC a.s.

Infineon Technologies übernimmt das Dresdner Start-up Siltectra. Das Unternehmen hat ein Verfahren – genannt „Cold Split“ – zum besonders materialsparenden Bearbeiten von Kristallen entwickelt. Mit dem Venture-Capital-Investor MIG Fonds, dem bisherigen Haupteigner, wurde ein Kaufpreis von 124 Millionen Euro vereinbart.

Infineon wird nach eigenen Angaben die Cold-Split-Technik zum Splitten von Siliziumkarbid-Wafern (SiC-Wafern) einsetzen, wodurch die Anzahl der Chips aus einem Wafer verdoppelt werden soll. SiC-basierte Produkte werden heute zum Beispiel bereits in Fotovoltaikumrichtern verwendet. In Zukunft wird SiC gerade bei der Elektromobilität eine wachsende Rolle spielen.

Verfahren in fünf Jahren serienreif

Die Weiterentwicklung der Cold-Split-Technik soll am bisherigen Siltectra-Standort in Dresden und am österreichischen Infineon-Standort Villach erfolgen. Die Anwendung im industriellen Maßstab erwartet Infineon innerhalb der nächsten fünf Jahre. Weitere Anwendungen der Technik sollen ebenfalls künftig möglich sein, zum Beispiel das Splitten von Rohlingen oder von anderen Materialien als Siliziumkarbid.

Über Siltectra

Siltectra wurde im Jahr 2010 gegründet und verfügt laut Infineon über ein Patentportfolio mit mehr als 50 Patentfamilien. Das Start-up hat ein Verfahren entwickelt, mit dem kristalline Materialien im Vergleich zur üblichen Sägetechnik mit sehr geringen Materialverlusten gesplittet werden können. Diese Technik kann auch beim Halbleitermaterial SiC angewendet werden, für das in den kommenden Jahren mit einer stark steigenden Nachfrage gerechnet wird. Die Funktionsweise des Cold-Split-Verfahrens ist im nachfolgenden Video dargestellt:

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