E-Mobilität ST Microelectronics erweitert seine SiC-Substrat-Fertigung

Von Sven Prawitz

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Der Elektronikhersteller ST Microelectronics baut seine Kapazitäten für Siliziumkarbit-Substrate aus. Die Produktion der neuen Anlage in Italien soll 2023 anlaufen und vornehmlich der Eigenversorgung dienen.

ST Microelectronics baut seine Fertigungskapazitäten für SiC-Substrate aus.
ST Microelectronics baut seine Fertigungskapazitäten für SiC-Substrate aus.
(Bild: ST Microelectronics)

Um die steigende Nachfrage nach Siliziumkarbid-Halbleitern (SiC) zu bedienen, errichtet ST Microelectronics in Italien eine integrierte Produktionsstätte für SiC-Substrate. Die Produktion soll im Jahr 2023 anlaufen. Neben der bestehenden SiC-Bauelemente-Fertigungsanlage werde in Catania eine SiC-Substrat-Fertigungsanlage für die Massenproduktion von 150-mm-SiC-Epitaxie-Substraten installiert.

Der Zulieferer investiert 730 Millionen Euro über einen Zeitraum von fünf Jahren, heißt es in einer Mitteilung. Es entstehen 700 zusätzliche Arbeitsplätze in der Fabrik von ST Microelectronics. Bis 2024 will der Halbleiterhersteller 40 Prozent der Substrate intern beziehen. Ein Abnehmer wird Renault sein. Wie aus einer früheren Mitteilung hervorgeht, will der OEM ab 2026 Leistungshalbleiter von ST Microelectronics beziehen.

Das Unternehmen produziert eigenen Angaben zufolge seine SiC-Produkte in Catania und Ang Mo Kio (Singapur). Die Montage und der Test erfolgen an den Back-End-Standorten in Shenzhen (China) und Bouskoura (Marokko).

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