Elektronik Rohm will Solarwerk zum SiC-Standort umrüsten

Statt eine neue Fabrik zu bauen erwirbt Rohm Semiconductor von Solar Frontier ein bestehendes Werk. Der Produktionsstart von SiC-Halbleitern werde dadurch innerhalb eines Jahres möglich.

Für den Ausbau seiner Fertigungskapazitäten für Siliziumkarbid-Halbleiter (SiC) geht Rohm einen neuen Weg. Der Zulieferer will vom Solartechnikunternehmen Solar Frontier dessen ehemaliges Werk im japanischen Kunitomi übernehmen. Als Termin nennt Rohm Oktober 2023. Nach Angaben des Elektronikunternehmens soll es die größte Produktionsstätte der Rohm-Gruppe werden.

„Diese Akquisition ermöglicht einen schnellen Produktionsstart durch die Nutzung der vorhandenen Infrastruktur“, sagt Wolfram Harnack, Präsident von Rohm Semiconductor Europe zum wesentlichen Vorteil dieser Strategie. Der erhoffte Zeitgewinn ist beträchtlich: Während für die meisten der von Grund auf neu gebauten Fabriken vom ersten Spatenstich bis zum Anlauf der Waferfertigung etwa drei Jahre vergehen, strebt Rohm eine Inbetriebnahme Ende 2024 an.

SiC-Kapazität soll sich um Faktor 35 erhöhen

Bestandteil der Übernahmevereinbarung sei, dass Solar Frontier im Rahmen eines Leasingvertrags einen Teil des Geländes und der Gebäude weiterhin als Geschäftssitz nutzen werde. Von den insgesamt etwa 230.000 Quadratmetern Geschossfläche am Standort Kunitomi sollen etwa 115.000 Quadratmeter für die neuen Rohm-Produktionsanlagen genutzt werden, vornehmlich für die SiC-Fertigung.

Die Rohm-Verantwortlichen gehen davon aus, dass so die erforderlichen SiC-Produktionskapazitäten bis zum Fiskaljahr 2030 abgedeckt sind. Ein ehrgeiziges Ziel, denn gegenüber dem Fiskaljahr 2021 soll diese Kapazität bis dahin immerhin auf das 35-Fache anwachsen.

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Elektronikbranche kündigt neue SiC-Fabriken an

Die Nachfrage nach modernen Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid soll stark wachsen. Deshalb gaben Halbleiterunternehmen reihenweise den Bau neuer Fertigungskapazitäten bekannt. So baut Infineon eine neue SiC-Fab in Kulim, Malaysia, Wolfspeed errichtet gemeinsam mit ZF ein neues SiC-Werk im Saarland, ST Microelectronics baut gemeinsam mit Sanan Optoelectronics eine gemeinsame SiC-Waferfab im chinesischen Chongquing, und Mitsubishi Electric hat den Bau einer neuen SiC Fab in Japan angekündigt. Außerdem wird TSMC eine Waferfabrik in Dresden bauen.

Auch SiC-Anbieter Rohm hat 2021 im neuen Werk der Tochter Lapis Semiconductor in Miyazaki die SiC-Serienfertigung gestartet und erst 2022 eine auf dem Gelände seines Apollo-Werks im japanischen Chikugo neu errichtete SiC-Fab in Betrieb genommen.

Bis zum Fiskaljahr 2025 soll dadurch im Vergleich zu 2021 die Zahl der SiC-Waferstarts des Unternehmens um den Faktor 6,5 steigen.(cg/sp)

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