Elektronik ZF und Cree entwickeln SiC-Halbleiter für E-Antriebe

Der Automobilzulieferer ZF und der Halbleiterspezialist Cree entwickeln gemeinsam Siliziumkarbid-Chips. Diese sollen in der Leistungselektronik künftiger E-Antriebe der Friedrichshafener eingesetzt werden.

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Der Zulieferer ZF und Cree bauen ihre bisherige Lieferantenbeziehung aus. Künftig entwickeln beide Unternehmen zusammen Halbleiter auf Siliziumkarbidbasis (SiC) für Wechselrichter von E-Autos. Die dadurch entstehenden SiC-Chips sollen helfen, die Effizienz von E-Antrieben zu erweitern. Die Halbleiter sollen bis zum Jahr 2022 für den Serieneinsatz verfügbar sein und dann laut ZF auch von Cree geliefert werden.

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SiC-Technik für 800-Volt-Bordnetze

In einer Mitteilung von ZF heißt es, dass die SiC-Technik insbesondere mit der 800-Volt-Bordnetzspannung maßgeblich die Effizienz des E-Antriebs steigert. Ob das ein Hinweis für einen Einsatz im Porsche Taycan ist, der momentan als einziges Fahrzeug die 800-Volt-Technik einsetzt, wollte man seitens ZF weder bestätigen noch dementieren. Bereits auf der IAA in Frankfurt war zu hören, dass die Friedrichshafener die Antriebstechnik für künftige Taycan-Modelle liefern werde. Ab Herbst 2020 wird ZF das Formel-E-Team Mahindra mit Antriebstechnik ausrüsten. Dort soll die SiC-Technik erprobt werden und die Basis für die Entwicklung der Serienkomponenten von Cree legen, teilte ein Sprecher auf Nachfrage mit.

Über Cree

Cree ist ein Halbleiterunternehmen, das sich auf Siliziumkarbid- und Galliumnitrid-Technologien konzentriert. Über das Tochterunternehmen Wolfspeed bietet das Unternehmen Leistungs- und Hochfrequenz (RF)-Halbleiter und LEDs an. Vor zweieinhalb Jahren scheiterte die geplante Übernahme der Tochter durch Infineon. Der Hauptsitz von Cree ist in Durham, North Carolina (USA).

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